刻蚀设备【中微公司】
业务定位与边界
本页记录中微公司在刻蚀设备中的具体设备、验证和交付事实。业务边界为：CCP高能等离子体、ICP低能等离子体及深硅刻蚀设备；先进制程可覆盖65纳米至3纳米及更先进工艺(公司披露)。公司未单独披露该业务收入时，不从公司整体或宽口径分部拆分。
产品平台、工艺与制程覆盖
| 设备/平台 | 工艺作用 | 制程/应用覆盖 | 研发与量产状态 | 主要约束 |
|---|---|---|---|---|
| 年报产品平台 | — | — | — | 等待下一轮年报补充 |
设备平台只沿用公司披露；“覆盖某制程”“已验证”“批量订单”“出货”“装机”“验收”分别记录，不能互相替代。
客户验证、装机与订单
| 客户/项目类型 | 验证或装机阶段 | 订单与收入信号 | 披露期 | 口径限制 |
|---|---|---|---|---|
| 公司披露客户/项目 | 中芯国际；长江存储；华力微电子；三安光电；乾照光电；华灿光电 | 仅保留公司明确披露 | 2025年及以前 | 客户匿名，不反推实名 |
| 刻蚀设备 | 见产品状态 | 新签/在手/合同负债分开 | 持续更新 | 装机、验收不等于收入 |
验证和订单是不同阶段；若年报只披露公司整体新签订单或合同负债，本页不把它们全部归属于本业务。
产能、核心部件与服务交付
| 环节/基地 | 产能或交付能力 | 核心部件 | 服务网络 | 供应风险 |
|---|---|---|---|---|
| 公司制造与交付体系 | 上海金桥总部及研发基地；江西南昌生产和研发基地；上海临港产业化基地及总部大楼；广州华南总部研发及生产基地；成都研发及生产基地暨西南总部 | 以年报披露为准 | 安装、验收与售后 | 关键部件、人员和交付周期 |
| 本业务独立口径 | 未披露则留空 | 不按公司整体反推 | 等待后续披露 | 国产化率须有公司来源 |
公司整体厂房与人员不能自动等同本业务独立产能；核心部件国产化和服务半径也须单独有证据。
经营数据与经济性
公司未按该设备子类披露收入、毛利率、装机或订单绝对值时，本模块留空。公司页的年报分产品收入结构仍保持原口径，不在连接页重新分摊。
竞争定位与国产替代
| 可比业务 | 产品与工艺 | 客户验证/装机 | 国产替代位置 | 结论与约束 |
|---|---|---|---|---|
| 刻蚀设备【中微公司】 | CCP高能等离子体、ICP低能等离子体及深硅刻蚀设备；先进制程可覆盖65纳米至3纳米及更先进工艺(公司披露) | 见验证表 | 只用公司披露 | 不把研发平台写成批量替代 |
| 同 segment 其他公司业务 | 通用工艺页反向聚合 | 按相同阶段比较 | 按设备子类比较 | 国际/国内对标须同口径 |
国产替代的最小判断单元是设备子类、工艺步骤和客户验证阶段；行业格局放通用工艺页，本页只维护中微公司的具体差异。
策略、催化剂与风险
| 变量 | 当前状态 | 上行信号 | 下行信号 |
|---|---|---|---|
| 产品与验证 | catalysts：存储器件从2D向3D结构转换带动刻蚀及薄膜关键步骤设备需求激增；半导体设备自主可控及国产替代需求(公司披露)；人工智能、大数据等驱动先进制程产能扩张；外延并购向湿法及量检测等领域延伸实现平台化；risks：国际贸易摩擦加剧及出口管制限制风险；半导体行业周期性及下游晶圆厂资本开支波动风险；上游核心零部件供应链产能紧张风险；关键顶尖技术人才流失风险 | 验证转批量、装机扩大 | 验证延期、验收推迟 |
| 订单与交付 | 以公司披露为准 | 新签与交付同步改善 | 合同负债/库存上升但验收不足 |
催化剂与风险必须能在年报、公告或后续业绩材料中复核；先进制程与客户名称的传闻不进入事实层。
业务年表
| 年份 | 产品与制程 | 客户认证与订单 | 收入与经济性 |
|---|---|---|---|
| 2024年及以前 | 见招股书与历年年报产品记录 | 见公司披露 | 未独立披露则留空 |
| 2025年 | 按2025年报更新刻蚀设备状态 | 区分验证/订单/装机/验收 | 不从公司整体反推 |